|UnitedSiC(现已被Qorvo收购)扩展了用于电源设计的高性能高效750V SiC FET产品组合

移动应用、基础设施和航空航天、国防应用的RF解决方案领先供应商Qorvo、Inc(纳斯达克代码:QRVO)今天宣布了750V碳化硅(SiC) FET,该FET采用了7个表贴D2PAK-7L封装。这种封装方案使Qorvo的SiC FET能够定制,以满足快速增长的汽车充电器、软交换DC/DC转换器、电池充电(快速DC和工业)和IT/服务器电源应用程序的需要。使用散热性能增强的封装,为需要最高效率、低传导损耗和性价比的低功耗应用程序提供理想的解决方案。

image.png

在650/750V的状态下,第四代UJ4C/SC系列的RDS(on)为9毫米(mohm),达到额定电阻为9、11、18、23、33、44、60的行业低水平。广泛的选择为工程师提供了更多的部件选项,支持更大的灵活性,使工程师能够在保持丰富的设计裕度和电路坚固性的同时,实现理想的成本/效率平衡。这些零件使用独特的通用源通用栅极SiC FET技术。其中,正常状态的SiC JFET与Si MOSFET封装在一起,生成NC状态的SiC FET。这些设备可以提供RDS x A质量系数,从而最大限度地减少小尺寸暴露碎片的传导损失。

UnitedSiC(现被Qorvo收购)高级工程师Anup Bhalla说:“D2PAK-7L封装可以减少小型内部连接电路的电感,通过Kelvin源连接减少交换机损耗,支持更高的工作频率,并提高系统功率密度。此外,这些部件使用银烧结芯片,通过液体冷却最大限度地排出标准PCB和IMS基板的热量,因此热阻非常低。”

采用D2PAK-7L封装系列的全新750V第四代SiC FET售价(从1000起美国正式定价)为3.50美元(UJ4C075060B7S)至18.92美元(UJ4SC075009B7S)。所有部件都通过授权经销商销售。

UnitedSiC(现已被Qorvo收购)UJ4C/SC第四代SiC FET系列如何提供业界先进的性能质量要素、减少传导损耗、提高更快速度下的效率以及提高整体成本效益,请访问3359 unitedsic.com/go

|UnitedSiC(现已被Qorvo收购)扩展了用于电源设计的高性能高效750V SiC FET产品组合

Leave a Comment